我们提出了一种使用先进的直接自组装（DSA）纳米光刻技术制备密集堆积的多通道石墨烯纳米带（GNR）阵列的大面积场效应晶体管（FET）新方法。我们策略的设计主要集中在FET通道的有效集成以及使用与制造工艺兼容的工艺（如热退火和化学气相沉积）。我们通过控制Au限制图案的厚度，实现了具有10nm半量程亚临界尺寸（CD）的线性堆叠的DSA纳米图案阵列。获得了优异的粗糙度值（〜10％的CD），证明了将10nm以下的GNR集成到商业半导体工艺中的可行性。基于这个简单的过程，具有如此密集的多通道GNR阵列的FET被成功地制备在6英寸的硅晶片上。使用这些高质量的GNR阵列，我们实现了使用传统光刻和嵌段共聚物光刻生产的类似器件，实现了迄今为止报道的最高性能（开关比大于102）的FET。

图1.石墨烯纳米带晶体管阵列制备示意图

图2.石墨烯纳米带晶体管阵列的高分辨率电镜图谱

　　该工作已经发表于Nano Lett上了。（DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01542，
Nano Lett. 2016, 16, 5378−5385）

　　来源：石墨烯网