我们通过用聚合物电解质进行电双层浇注，在几层石墨烯器件中诱导表面载流子密度达到~7·1014cm-2。在低于20-30K的3-，4-和5-层石墨烯中，我们观察到电阻的对数上升，我们将其归因于扩散区域中的弱定位。通过研究这种效应作为载流子密度和从头计算的函数，我们推导出传输、间隔和相位相干散射寿命对总载流子密度的依赖性。我们发现奈奎斯特区域中的电子-电子散射是在~1013cm-2到~7·1014cm-2载流子密度范围内在低于30K的温度下失相的主要来源。随着栅极电压的增加，由于载流子密度和表面带电散射中心的增加，传输弹性散射受竞争效应的支配。我们还将器件调整为弱定位和强定位之间的交叉区域，表明双电层栅控材料表面的载流子和缺陷密度的同时可调性是可能的。

图1.PES覆盖的FLG设备图谱。

图2.材料的性能测试图谱。

　　该工作已经发表于2D Materials上了。（Published 7 July 2017 • © 2017 IOP Publishing Ltd，2D Materials, Volume 4, Number 3）

　　来源：石墨烯杂志