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日本研究团队开发ZHR方法,可改善单晶硅薄膜的制造

发布时间:2018-3-22 11:05:31      阅读864

  【据Pv-magazine网站3月19日报道】近日,日本东京工业大学和早稻田大学的一个研究团队,开发出一种生产单晶硅薄膜太阳能电池的新技术,在降低大规模生产成本同时,保持高的电池效率。

  研究人员称,他们开发的高质量单晶硅薄膜,厚度约为10μm,晶体缺陷密度低。此外,其制备速度比以前提高10倍以上。
  研究人员解释道,通过区域加热重结晶法(ZHR法),使表面粗糙度达到0.2〜0.3nm。然后将得到的基底用于高速生长,以形成具有高结晶质量的单晶薄膜。研究人员补充说:“使用双层多孔硅层,可以轻松的剥离生长的薄膜,并且基底及蒸发源可重复使用,大大减少了材料损耗。”
  此外,研究过程中还发现,在0.1-0.2nm范围内的表面粗糙度对晶体缺陷的形成具有重要影响,晶体缺陷的形成也是晶体生长机制的重要影响因素。

  来源:新材料在线

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