青岛国际石墨烯创新中心
 

新闻动态


 产业新闻  
 中心动态  
 中心通知  
 企业动态  

青岛国际石墨烯创新中心
地址:青岛市高新区智力岛路1号创业大厦B座601室
邮编:266109
网址:www.qigic.org; www.qigic.cn
 

青岛国际石墨烯创新中心
 产业新闻    当前位置:首页 >> 新闻动态 >> 产业新闻

在多晶基底上快速生长大尺寸单晶石墨烯膜

发布时间:2018-5-22 11:42:46      阅读1228

  一直以来,制备出高品质的、大尺寸的二维单晶材料都是急需要的。通常,采用外延生长方法来制备单晶薄膜材料,但该沉积过程需要单晶作为基底。这里,我们提出了一种不同的方法,以多晶为衬底,合成了单晶石墨烯薄膜。所提出的技术方法类似于提拉过程,以进化选择生长方法为基础。该方法依赖于增长速率最快区域的“自我选择性”,从而限制了生长缓慢的区域,最终形成了连续的二维单晶薄膜。本文中,通过此方法我们合成了1英尺长的石墨烯单晶薄膜,且合成速率高达2.5cm h-1。本文所提出的技术方法有望用于合成其他2D材料和异质结构。

Figure 1.实验设定步骤和固定基底上石墨烯形貌。

Figure 2. 使用刻蚀过的六边形观察石墨烯单晶取向。

Figure 3. 蚀刻孔的晶体取向以及石墨烯的表征结果。

Figure 4. 单晶石墨烯进化选择生长机理和2D中的Wullff构造理论。

  该研究工作于2018年发表在Nature Materials期刊上。原文:Evolutionary selection growth of two-dimensional materials on polycrystalline substrates (DOI:10.1038/s41563-018-0019-3)

  来源:石墨烯网

上一条:气相沉积硒化锡超薄片的温度依赖性拉曼响应

下一条:新颖的高活性析氧催化剂 — 三金属NiFeCr水滑石材料

青岛国际石墨烯创新中心 地址:青岛市高新区智力岛路1号创业大厦B座601室 邮编:266109

京ICP备10026874号-11  京公网安备11010802023390号 

北京现代华清材料科技发展中心版权所有